核心技术攻关

以研制高性能、高可靠的化合物特别是宽带隙半导体光电器件为目标，建设化合物半导体的EDA仿真、制造和检测认证平台，重点研究氮化镓、碳化硅、金刚石、铯铅溴等化合物的高质量单晶生长、器件制备与性能优化，基于多物理场联合仿真设计、先进封装技术、高功率密度系统集成技术，实现其在光电器件、射频微波器件、功率器件等方面的应用突破。